Microchip Type N-Channel MOSFET, 3 A Enhancement, 3-Pin TO-92
- RS Stock No.:
- 177-9861P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TP0606N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 250 ชิ้น (จัดส่งในถุง)*
THB9,410.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,069.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 250 - 490 | THB37.641 |
| 500 + | THB37.062 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 177-9861P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TP0606N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Package Type | TO-92 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Package Type TO-92 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 100pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
