onsemi Type P-Channel MOSFET, 1.37 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- RS Stock No.:
- 163-1141
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTS4101PT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB7,929.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,484.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.643 | THB7,929.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.564 | THB7,692.00 |
| 12000 + | THB2.487 | THB7,461.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 163-1141
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTS4101PT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.37A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 329mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.37A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 329mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 NTS4101PT1G
- onsemi Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- onsemi Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SC-70 NTS4173PT1G
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4151PT1G
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Nexperia BSS84AKW Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Nexperia NX3008PBKW Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SC-70
