ROHM Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT3120ALGC11
- RS Stock No.:
- 150-1488
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT3120ALGC11
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB283.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB303.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB283.94 |
| 2 - 4 | THB280.22 |
| 5 - 9 | THB276.59 |
| 10 - 49 | THB273.03 |
| 50 + | THB269.59 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 150-1488
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT3120ALGC11
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 158.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 3.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 103W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 16mm | |
| Width | 5 mm | |
| Height | 21mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 158.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 3.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 103W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 16mm | ||
Width 5 mm | ||
Height 21mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Low on-resistance Fast switching speed Fast reverse recovery Easy to parallel Simple to drive Pb-free lead plating, RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT3120ALGC11
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7
- ROHM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2450KEHRC11
- ROHM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2450KEGC11
- ROHM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2280KEGC11
- ROHM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2280KEHRC11
- ROHM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2160KEGC11
- ROHM Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2160KEHRC11