ROHM N-Channel MOSFET, 24 A, 600 V, 3-Pin TO-247 R6024KNZ1C9
- RS Stock No.:
- 150-1473P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6024KNZ1C9
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 4 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB779.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB834.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 4 - 8 | THB194.935 |
| 10 - 18 | THB178.805 |
| 20 - 98 | THB165.02 |
| 100 + | THB153.235 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 150-1473P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6024KNZ1C9
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Maximum Power Dissipation | 245 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 (Static) V, ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Width | 5.21mm | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Length | 16.13mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Forward Diode Voltage | 1.5V | |
| Height | 21.34mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 24 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 600 V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 320 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 5V | ||
Minimum Gate Threshold Voltage 3V | ||
Maximum Power Dissipation 245 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage ±20 (Static) V, ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Width 5.21mm | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 45 nC @ 10 V | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Length 16.13mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Forward Diode Voltage 1.5V | ||
Height 21.34mm | ||
Low on-resistance
Fast switching speed
Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V
Drive circuits can be simple
Parallel use is easy
Pb-free lead plating, RoHS compliant
Fast switching speed
Gate-source voltage(VGSS)guaranteed to be ±30V
Drive circuits can be simple
Parallel use is easy
Pb-free lead plating, RoHS compliant