ROHM RE1C002ZP Type P-Channel MOSFET, 200 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 RE1C002ZPTL
- RS Stock No.:
- 148-6960
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RE1C002ZPTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 200 ชิ้น)*
THB822.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB880.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 400 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 01 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | THB4.114 | THB822.80 |
| 400 - 800 | THB4.011 | THB802.20 |
| 1000 - 1800 | THB3.911 | THB782.20 |
| 2000 - 9800 | THB3.813 | THB762.60 |
| 10000 + | THB3.717 | THB743.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 148-6960
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RE1C002ZPTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-75 | |
| Series | RE1C002ZP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1.7mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Width | 0.96 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-75 | ||
Series RE1C002ZP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1.7mm | ||
Height 0.8mm | ||
Width 0.96 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Low voltage(12V) drive type
Pch Small-signal MOSFET
Small Surface Mount Package
Pb Free/RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RE1C002ZP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 RE1C002ZPTL
- ROHM RU1C002ZP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL
- ROHM RZM002P02 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-723 RZM002P02T2L
- onsemi NTA Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- onsemi NTA Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 NTA4151PT1G
- ROHM RE1C002UN Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-416 RE1C002UNTCL
- ROHM RUM002N02 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-723 RUM002N02T2L
- Nexperia NX3008PBKW Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
