onsemi BSS138W Type N-Channel MOSFET, 210 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- RS Stock No.:
- 146-2168
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS138W
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB6,405.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,852.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 15,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.135 | THB6,405.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.071 | THB6,213.00 |
| 12000 + | THB2.009 | THB6,027.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 146-2168
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS138W
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 210mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Series | BSS138W | |
| Package Type | SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 340mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.9mm | |
| Width | 1.25 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 210mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Series BSS138W | ||
Package Type SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 340mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.9mm | ||
Width 1.25 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi BSS138W Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS138W
- DiodesZetex BSS138W Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex BSS138W Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS138W-7-F
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1032R-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- ROHM RUC002N05 Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMN53D0LW Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- ROHM RUC002N05 Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70 RUC002N05T116