Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 145-8705
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPA086N10N3GXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,037.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,179.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,700 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB40.746	THB2,037.30
100 - 150	THB39.86	THB1,993.00
200 +	THB38.974	THB1,948.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-8705
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPA086N10N3GXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS 3
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	37.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.65mm
	Width	4.85 mm
	Height	16.15mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS 3
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 37.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.65mm
	Width 4.85 mm
	Height 16.15mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 45A Maximum Continuous Drain Current, 37.5W Maximum Power Dissipation - IPA086N10N3GXKSA1

This MOSFET is engineered for high-performance applications in automation, electronics, and electrical engineering. As a power transistor, it enhances power management by providing excellent efficiency and reliability. Its Durable design supports high-frequency switching, making it suitable for environments where strong performance is essential.

Features & Benefits

• N-channel configuration optimises current management

• Low on-resistance enhances overall system efficiency

• Operates at temperatures up to +175°C for adaptable applications

• Fully isolated package improves safety during operation

• Compliant with RoHS and halogen-free standards for eco-friendly use

Applications

• Ideal for high-frequency switching in electronic devices

• Employed in synchronous rectification to maximise efficiency

• Suitable for requiring high current handling

• Effective in temperature-sensitive environments due to robust thermal performance

What is the significance of the low on-resistance feature in this device?

The low on-resistance feature reduces power losses during operation, leading to improved efficiency in power management circuits. This results in less heat generation and enhanced overall performance.

Can this MOSFET be used in automotive applications?

Yes, it is appropriate for automotive applications as it meets high-temperature performance requirements and provides dependable operation under varying load conditions.

How does the gate threshold voltage influence circuit function?

The gate threshold voltage determines when the MOSFET begins conducting. In this case, it ranges from 2V to 3.5V, ensuring activation occurs only under suitable voltage levels, thereby protecting other components.

What types of circuits are most compatible with this power transistor?

This power transistor is compatible with high-frequency switching circuits and synchronous rectification applications, offering versatility for various electronic designs.

How should the MOSFET be mounted for optimal performance?

The MOSFET should be mounted using the through-hole method to ensure secure connections and effective heat dissipation based on its thermal resistance specifications.