การค้าหาล่าสุด / Recently searched

    SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K

    Wolfspeed
    RS Stock No.:
    125-3453P
    หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
    C3M0065100K
    ผู้ผลิต / Manufacturer:
    Wolfspeed

    รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

    ดู MOSFETs ทั้งหมด
    Add to Basket
    Units

    สินค้าหมดและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้

    ขออภัย เราไม่มีสินค้าในสต็อกและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้

    ราคา / Price Each (Supplied in a Tube)

    THB602.88

    (exc. VAT)

    THB645.08

    (inc. VAT)

    UnitsPer unit
    8 - 14THB602.88
    15 +THB593.61
    ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
    RS Stock No.:
    125-3453P
    หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
    C3M0065100K
    ผู้ผลิต / Manufacturer:
    Wolfspeed

    ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets


    Legislation and Compliance


    รายละเอียดสินค้า / Product Details

    Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.


    New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology
    Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
    New low-impedance package with driver source
    8 mm of creepage/clearance between Drain and Source
    High-speed switching with low output capacitance
    High blocking voltage with low Drain-Source On-State Resistance
    Avalanche ruggedness
    Fast intrinsic diode with low Reverse Recovery

    For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.


    MOSFET Transistors, Cree Inc.

    คุณสมบัติ / Specifications

    คุณสมบัติ
    Value
    Channel TypeN
    Maximum Continuous Drain Current35 A
    Maximum Drain Source Voltage1000 V
    Package TypeTO-247-4
    Mounting TypeThrough Hole
    Pin Count4
    Maximum Drain Source Resistance90 mΩ
    Channel ModeEnhancement
    Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
    Minimum Gate Threshold Voltage1.8V
    Maximum Power Dissipation113.5 W
    Maximum Gate Source Voltage-8 V, +19 V
    Typical Gate Charge @ Vgs35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V
    Transistor MaterialSiC
    Length16.13mm
    Width5.21mm
    Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °C
    Height23.6mm
    Minimum Operating Temperature-55 °C
    SeriesC3M
    Forward Diode Voltage4.8V
    Add to Basket
    Units

    สินค้าหมดและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้

    ขออภัย เราไม่มีสินค้าในสต็อกและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้

    ราคา / Price Each (Supplied in a Tube)

    THB602.88

    (exc. VAT)

    THB645.08

    (inc. VAT)

    UnitsPer unit
    8 - 14THB602.88
    15 +THB593.61
    ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :