Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 35 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 125-3453P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- C3M0065100K
- ผู้ผลิต:
- Wolfspeed
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB5,264.96
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,633.52
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,233 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB658.12 |
| 15 + | THB648.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-3453P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- C3M0065100K
- ผู้ผลิต:
- Wolfspeed
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Wolfspeed | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1kV | |
| Series | C3M | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 113.5W | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 19 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 23.6mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Wolfspeed | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV | ||
Series C3M | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 113.5W | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 19 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.13mm | ||
Height 23.6mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology
Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
New low-impedance package with driver source
8 mm of creepage/clearance between Drain and Source
High-speed switching with low output capacitance
High blocking voltage with low Drain-Source On-State Resistance
Avalanche ruggedness
Fast intrinsic diode with low Reverse Recovery