Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 193 A, 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7N013ATMA2
- RS Stock No.:
- 762-930
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUZN04S7N013ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB29.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB32.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB29.94 |
| 25 - 99 | THB25.66 |
| 100 - 499 | THB19.01 |
| 500 - 999 | THB15.21 |
| 1000 + | THB14.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-930
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUZN04S7N013ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 193A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 94W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 2.29mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 193A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 94W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 2.29mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon Automotive MOSFET Power-Transistor is an N-channel, enhancement-mode MOSFET designed for automotive applications. It operates in high-temperature conditions and features robust construction. Extended qualification beyond AEC-Q101.
Enhanced electrical testing
Robust design
RoHS compliant
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7L012ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7L019ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC300N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH68N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQE031N08LM6CGATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH61N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1
