Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 65 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R025M2HXKSA1

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB341.21

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB365.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB341.21
10 - 49THB276.58
50 - 99THB211.47
100 +THB169.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
762-903
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMW40R025M2HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

25.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

4.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

195W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

20.8mm

Height

4.83mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET is Ideal for high frequency switching and synchronous rectific and features Benchmark gate threshold voltage. Additionally it features XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance.

100% avalanche tested

Recommended gate driving voltage

Qualified for industrial applications

Used for energy storage, UPS and battery formation

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง