ROHM RD3L08CBLHRB Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Stock No.:
- 687-440P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3L08CBLHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB896.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB958.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 48 | THB44.805 |
| 50 - 198 | THB40.10 |
| 200 - 998 | THB32.43 |
| 1000 + | THB31.685 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-440P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3L08CBLHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 (TL) | |
| Series | RD3L08CBLHRB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 | |
| Length | 10.50mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 (TL) | ||
Series RD3L08CBLHRB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101 | ||
Length 10.50mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM N channel power MOSFET designed for demanding applications, offering excellent efficiency and reliability. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 80A, this device is ideal for switching and amplification tasks in automotive and consumer electronics. Its low on-resistance of just 5.3mΩ maximises power efficiency, while its robust construction ensures it withstands harsh operational environments, meeting AEC-Q101 qualifications and providing 100% avalanche testing for enhanced safety. This MOSFET represents a powerful solution for advanced circuitry, blending performance with stringent compliance standards.
Low on resistance of 5.3mΩ significantly improves energy efficiency
Supports up to 80A continuous drain current for robust performance in demanding applications
100% avalanche tested to ensure stability and reliability during operation
AEC Q101 qualified, making it suitable for automotive applications
Wide operating junction temperature range from -55°C to +175°C ensures reliable performance in various conditions
Integrated thermal resistance of junction-case optimises power handling capabilities
Pb free and RoHS compliant, aligning with modern environmental standards.