ROHM RQ3P120BKFRA Type N-Channel Single MOSFETs, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8AG
- RS Stock No.:
- 687-380P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3P120BKFRATCB
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB465.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB498.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 48 | THB23.27 |
| 50 - 198 | THB21.04 |
| 200 - 998 | THB16.835 |
| 1000 + | THB16.585 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-380P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3P120BKFRATCB
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSMT-8AG | |
| Series | RQ3P120BKFRA | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 58mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.30mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Width | 300 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSMT-8AG | ||
Series RQ3P120BKFRA | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 58mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.30mm | ||
Height 0.9mm | ||
Width 300 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The ROHM N channel power MOSFET designed for efficient energy management in various applications. Capable of withstanding drain-source voltages of up to 100V and continuous current ratings of ±12A, this MOSFET excels in both power density and thermal resistance. The compact HSMT8AG package significantly reduces PCB space requirements by 64%, making it an ideal choice for modern electronic designs that demand reliability and efficiency. With AEC-Q101 qualification, it ensures robust operation in automotive applications, serving a wide range of use cases from ADAS to lighting solutions.
Small high-powered package optimises space on PCBs by 64%
High mounting reliability achieved through innovative terminal and plating treatments
AEC Q101 qualification ensures reliability in automotive applications
Designed to handle a maximum power dissipation of 40W for effective thermal management
Low on-state resistance of 58mΩ enhances efficiency and performance
Robust gate-source voltage tolerance of ±20V expands integration possibilities
Avalanche rating of 8A and energy dissipation of 5.2mJ provides extra protection during operation
Highly reliable operation across a temperature range of -55 to +150°C