STMicroelectronics ST8L65 Type N-Channel Single MOSFETs, 58 A, 650 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT ST8L65N044M9
- RS Stock No.:
- 648-109
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ST8L65N044M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB249.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB266.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 290 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB249.02 |
| 10 - 49 | THB201.50 |
| 50 - 99 | THB154.46 |
| 100 + | THB124.26 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 648-109
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ST8L65N044M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | ST8L65 | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 44mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8.10mm | |
| Width | 8.10 mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series ST8L65 | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 44mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8.10mm | ||
Width 8.10 mm | ||
Height 0.95mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. It has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Excellent switching performance
Easy to drive
100 percent avalanche tested
Excellent switching performance
PowerFLAT 8x8 HV package
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics ST8L60 Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT ST8L60N065DM9
- onsemi NTM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS4D7N04XMT1G
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS1D1N04XMT1G
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS1D3N04XMT1G
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS0D63N04XMT1G
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS2D9N04XMT1G
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NVMFWS004N04XMT1G
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT