ROHM AG502EG Type P-Channel Single MOSFETs, 68 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 646-617P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AG502EGD3HRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,628.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,742.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 245 | THB32.576 |
| 250 - 495 | THB29.21 |
| 500 + | THB23.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 646-617P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AG502EGD3HRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | AG502EG | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 77W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48.0nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series AG502EG | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 77W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48.0nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems. This MOSFETs are 100 percent avalanche tested.
Low on resistance
Pd free plating
RoHS compliant