ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 646-545P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3L04BBLHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 100 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB2,648.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,834.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 100 - 490 | THB26.487 |
| 500 - 990 | THB23.764 |
| 1000 + | THB18.813 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 646-545P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3L04BBLHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 10.50mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.3mm | ||
Length 10.50mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel 60 volt 40 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.
Low on-resistance
AEC-Q101 qualified
