Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 450 mA, 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 1000 ชิ้น)*

THB40,918.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB43,782.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถุง*
1000 +THB40.918THB40,918.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
598-498
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TP0604N3-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N-Channel Vertical DMOS FET

Maximum Continuous Drain Current Id

450mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-92-3 (TO-226AA)

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

4.2mm

Width

4.2 mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

5.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH
The Microchip P Channel Enhancement-Mode Vertical low-threshold transistor uses a vertical DMOS structure and a well-established silicon-gate manufacturing process. This design combines the power handling capabilities of bipolar transistors with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices. Like all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง