Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 47 A, 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IMDQ75R040M1HXUMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB459.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB491.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 750 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB459.68
10 - 99THB413.66
100 - 499THB381.50
500 - 999THB353.79
1000 +THB317.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-042
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMDQ75R040M1HXUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

47A

Maximum Drain Source Voltage Vds

750V

Package Type

PG-HDSOP-22

Series

CoolSiC

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Power Dissipation Pd

211W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon 750 V CoolSiC MOSFET G1 is built upon Infineon’s solid silicon carbide technology, developed over more than 20 years. By leveraging the characteristics of wide bandgap SiC materials, the 750 V CoolSiC MOSFET delivers a unique combination of performance, reliability, and ease of use. This MOSFET is designed to withstand high temperature and harsh operating conditions, making it ideal for demanding applications. It enables the simplified and cost effective deployment of systems with high efficiency, meeting the evolving needs of power electronics in challenging environments.

Infineon proprietary die attach technology

Cutting edge top side cooling package

Driver source pin available

Enhanced robustness to withstand bus voltages beyond 500 V

Superior efficiency in hard switching

Higher switching frequency in soft switching topologies

Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving

Best in class thermal dissipation

Reduced switching losses through improved gate control

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง