onsemi Type N-Channel MOSFET, 12 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RFP12N10L
- RS Stock No.:
- 295-703
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFP12N10L
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB35.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB38.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 83 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 398 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 12 | THB35.60 |
| 13 - 64 | THB34.88 |
| 65 + | THB28.71 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 295-703
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFP12N10L
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 200mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.4mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.4mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI530NPBF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP6410ANG
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB3632
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi FDP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220