ROHM RQ5 Type N-Channel MOSFET, 100 V Enhancement, 3-Pin TSMT-3 RQ5P035BGTCL
- RS Stock No.:
- 265-321
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ5P035BGTCL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB300.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB321.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 75 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB12.034 | THB300.85 |
| 100 - 225 | THB11.44 | THB286.00 |
| 250 - 475 | THB10.589 | THB264.73 |
| 500 - 975 | THB9.738 | THB243.45 |
| 1000 + | THB9.382 | THB234.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-321
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ5P035BGTCL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | RQ5 | |
| Package Type | TSMT-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series RQ5 | ||
Package Type TSMT-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET features low on resistance, making it highly efficient for switching applications, motor drives, and DC/DC converters. Its design ensures optimal performance and reliability in a variety of electronic circuits.
RoHS compliant
Low on resistance
Pb free plating
Halogen free
100 percent Rg and UIS tested
Small surface mount package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RQ5 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TSMT-3 RQ5L045BGTCL
- ROHM RQ5 Type N-Channel Single MOSFETs 3-Pin TSMT-3 RQ5G060BGTCL
- ROHM RQ5C035BC Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin TSMT-3 RQ5C035BCTCL
- ROHM Single 1 Type P-Channel MOSFET 3-Pin TSMT-3 RTU002P02T106
- ROHM RRR040P03 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TSMT RQ5E040RPTL
- ROHM RQ5H030TN N-Channel MOSFET 45 V, 3-Pin TSMT-3 RQ5H030TNTL
- ROHM RQ5E035BN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TSMT RQ5E035BNTCL
- ROHM RUR020N02 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin TSMT RUR020N02TL
