ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P10BBHTL1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*

THB2,071.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,216.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
10 - 99THB207.13
100 - 499THB191.05
500 - 999THB177.54
1000 +THB144.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
264-878P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
RJ1P10BBHTL1
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

170A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263AB

Series

RJ1

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.0mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

189W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

135nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Nch 100V 170A TO-263AB power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.

Low on-resistance

High power small mold package (TO263AB)

Pb-free plating and RoHS compliant

100% UIS tested