ROHM RS6 Type N-Channel MOSFET, 210 A, 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8
- RS Stock No.:
- 264-580P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RS6G120BHTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB4,007.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,288.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 95 | THB80.15 |
| 100 - 495 | THB74.23 |
| 500 - 995 | THB68.312 |
| 1000 + | THB65.868 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-580P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RS6G120BHTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 210A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | RS6 | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.38mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 67.0nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 210A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series RS6 | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.38mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67.0nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM N-channel 40V 210A power MOSFET in an HSMT8 package features low on-resistance and a high-power design, making it ideal for switching, motor drives, and DC or DC converter applications.
Low on-resistance
High Power small mold Package HSMT8
Pb-free plating and RoHS compliant
Halogen Free
100% Rg and UIS tested
