Nexperia NextPower-S3 technology Type N-Channel MOSFET, 240 A, 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-40YLDX
- RS Stock No.:
- 219-473
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R4-40YLDX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB77,386.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB82,803.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 + | THB51.591 | THB77,386.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-473
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R4-40YLDX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 240A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NextPower-S3 technology | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 238W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 240A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NextPower-S3 technology | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 238W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features Advanced TrenchMOS Super junction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching applications. It is designed for high-performance applications, including synchronous rectification, DC-to-DC converters, server power supplies, brushless DC motor control and battery protection. It offers high efficiency and reliable performance across a wide range of power management tasks.
Low parasitic inductance and resistance
High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package
Wave solder able
Superfast switching with soft recovery
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia NextPower-S3 technology Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-40YLDX
- Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-40YSHX
- Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus technology Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK
- Nexperia NextPowerS3 Technology Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R4-30YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-40YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R2-40YLDX
- Nexperia NextPower Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN012-100YSFX
- Nexperia NextPower Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN015-100YSFX