Nexperia MOSFETs Type N-Channel MOSFET, 330 A, 55 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R2-55SLHAX

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB180.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB192.73

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 1,990 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB180.12
10 - 99THB162.10
100 - 499THB149.24
500 - 999THB138.94
1000 +THB112.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
219-464
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PSMN1R2-55SLHAX
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

330A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

MOSFETs

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.03mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

180nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.6mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Width

8 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Avalanche rated and 100 % tested

Superfast switching with soft body diode recovery for low spiking and ringing

Narrow VGS(th) rating for easy paralleling and improved current sharing

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง