Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 210 A, 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R9-100SSEJ
- RS Stock No.:
- 219-452
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN2R9-100SSEJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB187.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB200.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB187.10 |
| 10 - 99 | THB181.49 |
| 100 - 499 | THB176.05 |
| 500 - 999 | THB170.77 |
| 1000 + | THB165.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-452
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN2R9-100SSEJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 210A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | PSM | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 341W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 210A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series PSM | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 341W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Nexperia N-Channel MOSFET features very low RDS(on) and enhanced safe operating area performance in a high-reliability copper-clip LFPAK88 package. It is optimized for hot-swap controllers, capable of withstanding high inrush currents and minimizing I²R losses for improved efficiency. Applications include hot-swap, load switching, soft start, and e-fuse.
SOA for superior linear mode operation
LFPAK88 package for applications that demand the highest performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R3-100SSEJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R6-80YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R9-100YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN075-100MSEX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN7R2-100YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R6-100SSFJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-100SSFJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R3-100SSFJ
