Nexperia Type N-Channel MOSFET, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NSF030120L4A0Q
- RS Stock No.:
- 219-448P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSF030120L4A0Q
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB8,951.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,577.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 449 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 99 | THB895.11 |
| 100 + | THB825.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-448P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NSF030120L4A0Q
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 4 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 4 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Nexperia SiC Power MOSFET comes in a compact 4-pin TO-247 plastic package for through hole mounting on PCBs. Its excellent RDS(on) temperature stability and fast switching speed make it ideal for high-power, high-voltage industrial applications, including electric vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.
Fast reverse recovery
Fast switching speed
Temperature independent turn off switching losses
Very fast and robust intrinsic body diode
