Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 120 A, 30 V Enhancement, 5-Pin TO-263 PSMN1R5-30BLEJ
- RS Stock No.:
- 219-445
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R5-30BLEJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB148.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB158.83
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB148.44 |
| 10 - 99 | THB133.60 |
| 100 + | THB123.21 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-445
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R5-30BLEJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | PSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 401W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 228nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series PSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 401W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 228nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia Logic Level N-channel MOSFET is housed in a D2PAK package and qualified for operation up to 175°C. It is designed for use in a broad range of industrial, communications, and domestic applications, offering reliable performance in demanding environments.
Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
Very low Rdson for low conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin TO-263 PSMN1R5-30BLEJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R9-100YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R2-40YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R2-40YLBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-40YSDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN3R7-100BSEJ
