Nexperia PXN Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 8-Pin MLPAK PXN040-100QSJ
- RS Stock No.:
- 219-417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PXN040-100QSJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB22,671.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB24,258.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB7.557 | THB22,671.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PXN040-100QSJ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | PXN | |
| Package Type | MLPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 21W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.3 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series PXN | ||
Package Type MLPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 21W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.3 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Nexperia N-Channel MOSFET comes in an MLPAK33 package. It is designed for a variety of standard applications. Key uses include secondary side synchronous rectification, DC-to-DC converters, home appliances, motor drives, load switching, and LED lighting.
Standard level compatibility
Trench MOSFET technology
Thermally efficient package in a small form factor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PXN Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin MLPAK PXN040-100QSJ
- Nexperia PXN Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin MLPAK PXN012-100QSJ
- Nexperia PXN Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin MLPAK PXN028-100QLJ
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS8622
- ROHM HP8K 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KE6TB1
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4190BDY-T1-GE3
- Nexperia BUK9M5360E Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
