Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN075-100MSEX
- RS Stock No.:
- 219-414
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN075-100MSEX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB23.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25.41
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB23.75 |
| 10 - 99 | THB21.28 |
| 100 - 499 | THB19.79 |
| 500 - 999 | THB18.31 |
| 1000 + | THB16.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-414
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN075-100MSEX
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | PSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 71mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEEE802.3at, RoHS | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series PSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 71mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEEE802.3at, RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is designed to support the next generation of Power-over-Ethernet. systems, capable of delivering up to 100W to each powered device. It meets the increased demands of applications such as large screen LCD displays, 3G/4G/Wi-Fi hotspots, and pan-tilt-zoom CCTV cameras. With Advanced features addressing soft-start procedures, short-circuit resilience, thermal management, and high power density, it ensures reliable and efficient performance for power sourcing equipment in demanding environments.
Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
Low Rdson for low conduction losses
Ultra reliable LFPAK33 package
Very low IDSS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN075-100MSEX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN040-100MSEX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN6R0-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR60-25YLHX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R6-80YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R9-100YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-30YLDX