Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 300 A, 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-30YLDX

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

presentation
onsemi NTMYS1D2N04CL Type N-Channel MOSFET, 258 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
RS Stock No.
189-0262

Each (On a Reel of 3000)

THB53.405

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB57.143

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:
219-313
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PSMN1R0-30YLDX
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

PSM

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

238W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57.3nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Low parasitic inductance and resistance

High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package

Wave solder able

Superfast switching with soft recovery

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง