STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin
- RS Stock No.:
- 215-223
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT015W120G3-4AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB3,037.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,249.74
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 27 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB3,037.14 |
| 10 + | THB2,733.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-223
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT015W120G3-4AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 167nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 4.2 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 673W | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 167nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 4.2 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 673W | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
Extremely low gate charge and input capacitance
Very fast and robust intrinsic body diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT015W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT070W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT025W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT040W120G3-4AG
