STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12NF06T4
- RS Stock No.:
- 151-938P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD12NF06T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB3,638.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,893.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 480 | THB18.192 |
| 500 - 980 | THB16.834 |
| 1000 - 1980 | THB15.511 |
| 2000 + | THB14.934 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-938P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD12NF06T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | STripFET II | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 30W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series STripFET II | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 30W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET series has been developed using STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters for telecom and computer applications.
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge