STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25NF10T4
- RS Stock No.:
- 151-916
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD25NF10T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB57,127.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB61,127.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB22.851 | THB57,127.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-916
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD25NF10T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | STripFET II | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 38Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series STripFET II | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 38Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET series has been developed using STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters for telecom and computer applications.
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25NF10T4
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25NF10LT4
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP120NF10
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB120NF10T4