STMicroelectronics STripFET F6 Type P-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35P6LLF6
- RS Stock No.:
- 151-912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD35P6LLF6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB204.17
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB218.46
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,425 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB40.834 | THB204.17 |
| 50 - 95 | THB38.836 | THB194.18 |
| 100 - 495 | THB35.98 | THB179.90 |
| 500 - 995 | THB33.028 | THB165.14 |
| 1000 + | THB31.886 | THB159.43 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD35P6LLF6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | STripFET F6 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.028Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series STripFET F6 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.028Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics P-channel Power MOSFET, developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STripFET F6 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35P6LLF6
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD30NF06LT4
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35NF06T4
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD35NF06LT4
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD10P6F6