STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12NF06LT4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB269.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB288.39

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,070 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
10 - 90THB26.952THB269.52
100 - 240THB25.582THB255.82
250 - 490THB23.724THB237.24
500 - 990THB21.817THB218.17
1000 +THB21.034THB210.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-907
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STD12NF06LT4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

STripFET II

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.6 mm

Length

10.1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, It is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

Exceptional dv/dt capability

100% avalanche tested

Low gate charge

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง