STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD4NK80ZT4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*

THB390.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB417.64

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,360 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
20 - 180THB19.516THB390.32
200 - 480THB18.542THB370.84
500 - 980THB17.163THB343.26
1000 - 1980THB15.808THB316.16
2000 +THB15.214THB304.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-900
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STD4NK80ZT4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SuperMESH

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.1mm

Width

6.6 mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, it is high-voltage device with Zener-protected N-channel developed using the SuperMESH technology ,an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener-protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง