STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB319.49

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB341.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 110 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 40 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 50 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB31.949THB319.49
20 - 20THB31.151THB311.51
30 +THB30.671THB306.71

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
906-2808
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGP5H60DF
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

10A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.95V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Trench Gate Field Stop

Standards/Approvals

No

Height

9.15mm

Length

10.4mm

Width

4.6 mm

Energy Rating

221mJ

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง