Toshiba GT50NR21,Q(O IGBT, 50 A 1050 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
- RS Stock No.:
- 891-2752
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- GT50NR21,Q(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
ตัวเลือก
สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ
Each: (In a Pack of 5)
THB65.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB70.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
- RS Stock No.:
- 891-2752
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- GT50NR21,Q(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1050 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V | |
| Maximum Power Dissipation | 230 W | |
| Package Type | TO-3P | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 0.45µs | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 15.5 x 4.5 x 20mm | |
| Maximum Operating Temperature | 175 °C | |
| Gate Capacitance | 1500pF | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1050 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±25V | ||
Maximum Power Dissipation 230 W | ||
Package Type TO-3P | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 0.45µs | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
Maximum Operating Temperature 175 °C | ||
Gate Capacitance 1500pF | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.