STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 5 A 1200 V, 3-Pin TO-252, Surface
- RS Stock No.:
- 877-2879P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGD5NB120SZT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 625 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB44,315.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,416.875
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 625 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,890 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 625 - 1245 | THB70.904 |
| 1250 + | THB69.814 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 877-2879P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGD5NB120SZT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 5A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 690ns | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.2mm | |
| Width | 6.4 mm | |
| Series | H | |
| Standards/Approvals | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Length | 6.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Energy Rating | 12.68mJ | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 5A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 690ns | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.2mm | ||
Width 6.4 mm | ||
Series H | ||
Standards/Approvals JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Length 6.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
Energy Rating 12.68mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.