STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB915.04

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB979.12

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • 8 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
8 - 14THB114.38
16 +THB112.095

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
860-7325P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGWT30H60DFB
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

HB

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.