IXYS IXA12IF1200HB, Type N-Channel IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 808-0256
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-327
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXA12IF1200HB
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS IXA12IF1200HB, Type N-Channel IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB538.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB576.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

เพิ่มอีก 4 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
8 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 09 มีนาคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 6	THB269.45	THB538.90
8 - 14	THB262.72	THB525.44
16 +	THB258.675	THB517.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 808-0256
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-327
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXA12IF1200HB
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Maximum Continuous Collector Current Ic	20A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	85W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.8V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Height	5.3mm
	Series	Planar
	Standards/Approvals	IEC 60747, RoHS, Epoxy meets UL 94V-0
	Length	20.3mm
	Width	16.24 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Maximum Continuous Collector Current Ic 20A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 85W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.8V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Height 5.3mm
	Series Planar
	Standards/Approvals IEC 60747, RoHS, Epoxy meets UL 94V-0
	Length 20.3mm
	Width 16.24 mm
	Automotive Standard No

IGBT Discretes, IXYS XPT series

The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

High power density and low VCE(sat)

Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to rated breakdown voltage

Short circuit capability for 10usec

Positive on-state voltage temperature coefficient

Optional co-packed Sonic-FRD™ or HiPerFRED™ diodes

International standard and proprietary high voltage packages

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

IXYS IXA12IF1200HB, Type N-Channel IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

IGBT Discretes, IXYS XPT series

IGBT Discretes & Modules, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง