IXYS IXDN55N120D1 IGBT, 100 A 1200 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
RS Stock No.:
804-7616
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXDN55N120D1
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

450 W

Package Type

SOT-227B

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

38.2 x 25.07 x 9.6mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Discretes, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง