IXYS IXDN55N120D1 IGBT, 100 A 1200 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount
- RS Stock No.:
- 804-7616
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXDN55N120D1
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,464.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,566.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 2 | THB1,464.20 |
| 3 - 4 | THB1,427.58 |
| 5 + | THB1,405.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 804-7616
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXDN55N120D1
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 450 W | |
| Package Type | SOT-227B | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 4 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 38.2 x 25.07 x 9.6mm | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Maximum Continuous Collector Current 100 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 450 W | ||
Package Type SOT-227B | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 38.2 x 25.07 x 9.6mm | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.