STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 200 A 600 V, 4-Pin ISOTOP, Clamp

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 3 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB3,249.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,477.39

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 577 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
3 - 4THB1,083.30
5 +THB1,066.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
686-8348P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGE200NB60S
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

200A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

600W

Package Type

ISOTOP

Mount Type

Clamp

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.2mm

Height

12.2mm

Width

31.7 mm

Standards/Approvals

ECOPACK, JESD97

Series

Powermesh

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.