STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
- RS Stock No.:
- 287-7045P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGD4H60DF
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 30 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,091.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,168.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 30 - 58 | THB36.395 |
| 60 - 118 | THB32.725 |
| 120 - 238 | THB29.32 |
| 240 + | THB25.915 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 287-7045P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGD4H60DF
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 4A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Configuration | Single Collector | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.7V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 1.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 4A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Package Type TO-252 | ||
Configuration Single Collector | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.7V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.3mm | ||
Width 6.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 1.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Trench gate field stop is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Low thermal resistance
Short circuit rated
Soft and fast recovery antiparallel diode