STMicroelectronics STGWA25IH135DF2, Bi-Directional-Channel Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 25 A
- RS Stock No.:
- 275-1346P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA25IH135DF2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 5 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB624.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB668.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 139 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 5 - 9 | THB124.87 |
| 10 + | THB113.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 275-1346P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA25IH135DF2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1350 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 340 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Configuration | Single Collector, Single Emitter, Single Gate | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | Bi-Directional | |
| Pin Count | 3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 25 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1350 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 340 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO-247 | ||
Configuration Single Collector, Single Emitter, Single Gate | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type Bi-Directional | ||
Pin Count 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics IGBT 1350 V IH2 series has been developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure, whose performance is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft switching applications.
Designed for soft commutation
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
