Infineon IHW20N65R5XKSA1 IGBT, 20 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 273-7440
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW20N65R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB1,941.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,076.99
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | THB64.704 | THB1,941.12 |
| 120 + | THB59.32 | THB1,779.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7440
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW20N65R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 20A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | JESD-022, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 20A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 21.1mm | ||
Standards/Approvals JESD-022, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT is a reverse conducting IGBT with monolithic body diode. This IGBT has powerful monolithic reverse conducting diode with low forward voltage and qualified according to JESD022 for target applications. It has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat. This IGBT is recommended for induction cooking, inverter zed microwave ovens and resonant converters.
Low EMI
Halogen free
RoHS compliant
High ruggedness
Pb free lead plating
Stable temperature behaviour
Very low VCEsat and low Eoff
Very tight parameter distribution
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IHW20N65R5XKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3, Through Hole
- Infineon IGW20N60H3FKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3, Through Hole
- Infineon IGW40N60H3FKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3, Through Hole
- Infineon IGW100N60H3FKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3, Through Hole
- Infineon IGW30N60H3FKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3, Through Hole
- Infineon IGW50N60H3FKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3, Through Hole
- Infineon IHW40N65R6XKSA1 IGBT 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGW30N65L5XKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO247-3
