STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG, NPN-Channel Single IGBT, 200 A 650 V, 9-Pin ECOPACK, Surface Mount
- RS Stock No.:
- 273-5094P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGSB200M65DF2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB6,641.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,106.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 49 | THB664.14 |
| 50 - 99 | THB630.74 |
| 100 - 149 | THB599.08 |
| 150 + | THB569.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5094P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGSB200M65DF2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 714 W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | ECOPACK | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Channel Type | NPN | |
| Pin Count | 9 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 200 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 714 W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Single | ||
Package Type ECOPACK | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Channel Type NPN | ||
Pin Count 9 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Dice on direct bond copper (DBC) substrate
Low thermal resistance
Dice on direct bond copper (DBC) substrate