Infineon IKP08N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 18 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- RS Stock No.:
- 273-2971
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP08N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,975.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,184.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB59.518 | THB2,975.90 |
| 100 + | THB47.614 | THB2,380.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2971
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP08N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 18A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Width | 10.38 mm | |
| Length | 15.95mm | |
| Series | TrenchStop | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 18A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Width 10.38 mm | ||
Length 15.95mm | ||
Series TrenchStop | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT in a TO-220 package compacted with fast and soft RAPID 1 anti parallel diode.
650 V breakthrough voltage
Mild positive temperature coefficient
Higher power density design
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKP08N65H5XKSA1 18 A 650 V Through Hole
- Infineon IKA08N65H5XKSA1 10.8 A 650 V Through Hole
- Infineon IGB20N65S5ATMA1 40 A 650 V Through Hole
- Infineon IKZ75N65EL5XKSA1 100 A 650 V Through Hole
- Infineon IKZ75N65EH5XKSA1 75 A 650 V Through Hole
- Infineon IKFW75N65ES5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IPA65R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R045C7XKSA1
- Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPAW60R180P7SXKSA1
