STMicroelectronics IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 261-5072P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA80H65DFBAG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 5 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB957.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,024.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 5 - 9 | THB191.58 |
| 10 - 14 | THB185.83 |
| 15 - 19 | THB180.26 |
| 20 + | THB174.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 261-5072P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA80H65DFBAG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 535W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 15V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5mm | |
| Length | 15.8mm | |
| Width | 21 mm | |
| Series | STGWA | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 535W | ||
Package Type TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 15V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5mm | ||
Length 15.8mm | ||
Width 21 mm | ||
Series STGWA | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
AEC-Q101 qualified
High-speed switching series
Maximum junction temperature TJ is 175 degree C
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Positive temperature VCE(sat) coefficient
Soft and very fast recovery antiparallel diode
