Infineon IGBT, 100 A 1200 V, 4-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 260-5105
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKY50N120CH3XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB12,120.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,968.52
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | THB404.004 | THB12,120.12 |
| 120 - 210 | THB391.883 | THB11,756.49 |
| 240 + | THB376.208 | THB11,286.24 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-5105
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKY50N120CH3XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 652W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.35V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 15.9 mm | |
| Length | 41.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 652W | ||
Package Type TO-247 | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.35V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 15.9 mm | ||
Length 41.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon hard switching high speed IGBT3 in a TO247 PLUS package copacked with a soft and fast recovery full current anti-parallel emitter controlled diode.
Very soft, fast recovery full current anti parallel diode
Maximum junction temperature is 175°C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKY50N120CH3XKSA1 Single IGBT, 100 A 1200 V PG-TO247-4-2
- Infineon IKY75N120CH3XKSA1 Single IGBT, 150 A 1200 V PG-TO247-4-2
- Infineon IKQ50N120CH3XKSA1 Single IGBT, 100 A 1200 V PG-TO247-3-46
- Infineon IKQ50N120CT2XKSA1 Single IGBT, 100 A 1200 V PG-TO247-3-46
- Infineon IKZ75N65ES5XKSA1 Single IGBT, 80 A 1.42 V PG-TO247-4
- Infineon IGQ100N120S7XKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N,
- Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 Single IGBT, 80 A 1200 V PG-TO247-3-46
- Infineon IKZ50N65EH5XKSA1 IGBT 4-Pin PG-TO247-4
