Infineon IHW30N110R5XKSA1 IGBT, 30 A 1100 V, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 260-1052
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW30N110R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB115.17
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB123.23
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 139 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB115.17 |
| 10 - 39 | THB103.70 |
| 40 - 79 | THB93.32 |
| 80 - 119 | THB84.05 |
| 120 + | THB75.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-1052
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW30N110R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1100V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 60kHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 25 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 21.1 mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 41.42mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1100V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Package Type TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 60kHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 25 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 21.1 mm | ||
Length 16.13mm | ||
Height 41.42mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBTs is a package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using single-ended resonant topology. It consist of a best product performances and high compatibility.
Lowest power dissipation
Better thermal management for higher reliability
Optimized for switching frequency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT 3-Pin TO-247
- Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 30 A 650 V Through Hole
- Infineon IGBT 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW30N65ET7XKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO-247
- Toshiba GT60PR21 Type N-Channel IGBT 3-Pin TO-3PN, Through Hole
- Infineon IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IGP30N65F5XKSA1 IGBT 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon 30 A 600 V Surface
